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SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1

Payment Terms: L/C, T/T
Place of Origin: Shanghai

Company Profile

Location: Shanghai, China (Mainland)
Business Type: Trading Company, Distributor/Wholesaler, Service

Product Detail

Model No.: 33254-1
Means of Transport: Ocean, Air, Land
SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE: Cl H

Product Description

SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1
SEMICONDUTOR ONDINHA LADO33254-1

COMPONENT:SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE is made of special glass fiber cloth impregnated with imine resin, then dried and pressed in the mold. It can be used in large generator from 200MW to 1000MW. The surface is black and smooth, free from foreign impurity, crack, bubble and delaminations.But slight uneven color and imperfect resin are allowed to insure compliance with all properties, the edge would be cut in good order.

COMPONENTE:
SEMICONDUTOR ONDINHA LADO é feita de pano de fibra de vidro impregnada com resina especial imina, em seguida seca e prensada em molde. Ele pode ser utilizado em larga gerador de 200 MW de 1000 MW. A superfície é preta e lisa, livre de impureza externa, crack, bolha e delaminações. Mas leve cor desigual e resina imperfeito estão autorizadas a garantir a conformidade com todas as propriedades, a borda seria cortado em boa ordem.

PROPERTIES PROPRIEDADES
No.
Index Designation
IndiceDesignação
Index
DADOS
1
Thickness Espessura
0.5±0.1mm
0.7±0.1mm
0.9±0.1mm
2
Maximum Deformation
Deformaçãomáxima
5.08mm
3
Ripple Distance
RippleDistância
60.35mm
4
Specific Gravity
Peso específico
≥1.8kg/cm3
5
Temperature Index
Índicede Temperatura
180 ℃ Degree(Cl. H)
6
Glass Transition Tem.
Temperatura de Transição Vítrea
(Tg)
190 ℃
7
StressValue                                 
Valorestresse
≥558.6N
≥650N
≥1647.5N
8
Stress after heat aging
Estresseapósenvelhecimento de calor
130 ℃/96h
≥200N
≥450N
≥1424N
9
Stress after heat aging
Estresseapósenvelhecimento de calor
155 ℃/96h
≥190N
≥410N
≥1335N
10
Edge Compression compressãode Borda
≥1.960Mpa
11
Cracking Test
CrackingTeste
135+5 ℃/10min.
Without Cracking
semCracking
12
Surface Resistance
Resistênciada superfície
1.5x104 -7.5x105Ω
13
Resin Content
resinaconteúdo
35±3%

SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1


SEMICONDUCTOR RIPPLE SIDE 33254-1



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